بررسی خواص ساختاری و اپتیکی اليههای نازک اکسید اينديم قلع

Transcript

1 13 مجلة پژوهش سیستمهای بسذرهای دورة 4 شمارة 8 زمستان 3131 بررسی خواص ساختاری و اپتیکی اليههای نازک اکسید اينديم قلع احسان پارسیانپور مجتبی روستائی جهانگیر جعفری رحمان بهرام سهرابی فريدون سموات چکیده گروه فیزیک دانشگاه بوعلی سینا همدان ایران در این تحقیق الیههای نازک اکسید ایندیم قلع )ITO( بهروش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرالیههای شیشهای با ضخامتهای اسمی و 005 نانومتر با نرخ انباشت ثابت 5 / 35 نانومتر بر ثانیه الیهنشانی شدهاند. دمای زیرالیهها در خالل الیهنشانی در دمای 455 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیکهای پراش پرتو ایکس )XRD( و بازتاب سنجی اشعه ایکس )XRR( برای آنالیز ساختاری الیههای نازک استفاده شده است. خواص اپتیکی الیهها با استفاده از طیف سنجی فرابنفش-مرئی در محدوده ) نانومتر( بررسی شد. همچنین آنالیز عنصری ماده با استفاده از دستگاه انرژی پراکندگی اشعه ایکس )EDS( انجام شد. برای آنالیز دادهها از نرم افزارهای GENX MATLAB و XPOWDER استفاده شدند. سپس ضخامت واقعی )nm( چگالی الکترونی متوسط ( 3 )e/å و ناهمواری )nm( الیههای نازک ITO بهدست آمدند. مقادیر گاف انرژی برای ضخامتهای و nm 005 بهترتیب 1 / 73 1 / 08 1 / 47 و ev 1 / 87 بهدست آمدند. نتایج نشان میدهد که با افزایش ضخامت الیههای نازک اندازه متوسط بلورکها رشد کرده تراگسیل اپتیکی جذب و گاف انرژی الیههای نازک بهترتیب کاهش افزایش افزایش مییابد. کلیدواژگان: مقدمه اکسید ایندیم قلع الیههای نازک بازتاب سنجی اشعه ایکس بین فلزات و دیالکتریکها ردهای از مواد در محدودهای وجود دارند که رساناهای شفاف نامیده میشوند ]3[ که بهدلیل آالیش باال دارای گاف انرژی بزرگتر از 1 الکترونولت میباشند. در عین حال این نیمرساناها مقاومت الکتریکی بسیار پائینی از خود نشان میدهند که رفتاری فلز گونه است. این مواد به اکسیدهای رسانای شفاف )TCO( معروف هستند. الیههای رسانای شفاف از الیهای بسیار نازک فلز یا اکسیدهای نیمرسانا تشکیل میشود. کاربرد وسیع این الیهها بهعنوان گرمکن الکتریکی شفاف شیشه پنجره هواپیما برای یخزدایی در طی جنگ جهانی دوم بود. در بین مواد دارای ویژگیTCO اکسید ایندیوم با آالیش ناخالصی اتمهای قلع بهترین ویژگی را دارد. این ترکیب نیمرسانای نوع n بوده و به اکسید ایندیوم آالئیده شده با قلع 10%( )In 2O 3 90%, SnO 2 که به اختصار ITO نامیده میشود میباشد و از معروفترین اکسیدهای شفاف است. مقاومت اندک آن بهدلیل باال بودن چگالی حاملهای آزاد آن ( تا است که از طریق دو الکترون آزاد بر )cm 3 سازوکار حاصل میشود: fsamavat@yahoo.com نویسنده مسئول:

2 10 جایگزینی اتم قلع بهجای اتم ایندیوم که باعث آزاد شیمیایی )CVD( و غیره بهکار رفته است. در بررسی شدن یک الکترون میشود و همچنین تهی جاهای خواص اپتیکی الیههای نازک ITO برای تعیین ثابت اکسیژن که دو الکترون آزاد به شبکه میبخشد. از دیگر ویژگیهای ITO میتوان تراگسیلی نوری باالتر از 35% های اپتیکی چندین روش وجود دارد. یکی از این روشها روش بیضی سنجی )ellipsometry( میباشد ]0-7[. در محدوده طول موجهای مرئی نانومتر مقاومت الکتریکی کمتر از 10 4 cm Ω بازتاب ITO زیاد در محدوده مادون قرمز هدایت الکتریکی زیاد چسبندگی مناسب به سطح زیرالیه سختی مناسب و همچنین پایداری شیمیایی آنرا نام برد ]0-4[. بهمنظور ایجاد مشخصههای بهینه مانند شفافیت باال و مقاومت پایین پارامترهایی از قبیل ضخامت نوع آالیش و میزان آالیش و دیگر شرایط انباشت باید بهینه شوند. همچنین مشخص شده اکسیدهای رسانا مانند است که خواص اپتیکی و الکتریکی شدیدا In 2O 3 به چگالی ناکاملیهای ایجاد شده توسط آالیش بیرونی یا شرایط رشدشان بستگی دارد. برای آالیش بیرونی اضافه شدن فلوئور و اتمهای قلع اساسا گزارش شده است. در طی سالهای اخیر عالوه بر ITO که دارای درجه تبهگنی باال و گاف انرژی 1 / 70 الکترونولت میباشد مواد بسیار دیگری نیز مورد توجه قرار گرفتهاند. مهمترین این مواد اکسید قلع SnO 2 اکسید ایندیوم In 2O 3 اکسید روی و اکسید کادمیم CdO میباشد که کاربردهای فراوانی در الکترونیک و الکترونیک نوری دارند. برای تولید الیههای نازک ITO روشهای انباشت متفاوتی از جمله اسپری پیرولیز فرآیند سل ژل کندوپاش مگنترونی غیر فعال جریان مستقیم )DC( کندو پاش با باریکه یونی تبخیر گرمایی غیر فعال انباشت با پالس لیزر) PLD ( انباشت با بخار بهطور گستردهای بهعنوان الکترودهای شفاف مقاومتهای حرارتی شفاف الکترودهای پوششی در وسایل اپتوالکترونیک )نمایشگرهای صفحه مسطح( وسایل الکترولومینسانس سلولهای فتوولتایی وسایل الکتروکرومیک نمایشگرهای کریستال مایع پنجرههای انرژی سلولهای خورشیدی حسگرهای گازی فتوکریستالها فتوالکتروکریستالها و آینههای بازتابکننده گرما استفاده شدهاند ]8 3[. بازتاب اشعه ایکس )XRR( تکنیکی برای استخراج چگالی ضخامت ناهمواری سطح و فصل مشترک ساختارهای الیهنازک است. کامل بودن الیههای رشد داده شده بستگی به کیفیت سطوح مشترک دارد که این بهنوبهخود بهویژگیهایی چون ساختار بلوری و وجود نقصها در الیهنازک بستگی دارد. بهعبارتی خاصتر ناهمواری سطوح مشترک از پارامترهای بسیار مهم در بسیاری از کاربردهای صنعتی محسوب میشود و مشخص شدن آن برآوردی از کیفیت سطوح مشترک است ]35-31[. مواد و روش آزمايشها در این تحقیق از مادة هدف )قرص جامد( :2 SnO In 2O 3 )تهیه شده از شرکت Merck آلمان( با نسبتهای وزنی 35% اکسید ایندیوم و 35% اکسید قلع بهعنوان چشمه تبخیر استفاده شد. قبل از قرار دادن زیرالیههای شیشهای در محفظه خأل آنها را در یک

3 11 حمام اسیدی و آب اکسیژنه بهمدت 05 دقیقه غوطهور بررسی خواص ساختاری و اپتیکی الیه های... )Advanced Bruker X-ray در دمای اتاق انجام کردیم در استون خالص بهمدت 0 دقیقه برای تمیز شدند. طیفهای پراش پرتو ایکس با استفاده از کردن قرار دادیم با آب مقطر )با درجه خلوص باال( شستشو داده و سپس خشک کردیم. برای اطمینان از عدم وجود چربیهای احتمالی بر روی زیرالیهها آنها تکفامکننده 04Å( CuKα )λ=3 / در بازه >0θ> درجه و با گام )0θ s( 54 5 / در دمای اتاق اندازهگیری شدند. طیفهای بازتاب پرتو ایکس با استفاده از تکفام کننده 04Å( CuKα )λ=3 / در بازه >0θ> 4 5 درجه و را در یک دستگاه آلتراسونیک با الکل اتیلیک چربی زدائی کردیم. پس از نصب زیرالیهها در محفظه خالء با گام )θ s( / برای الیههای با ضخامتهای 05 و 5 / 553 الیهنشانی فشار اولیه به مقدار میلی بار رسانده 355 نانومتر و گام )θ s( برای الیههای با شد با شارش گازی خنثی سطوح زیرالیهها بمباران ضخامتهای 375 و 005 نانومتر در دمای اتاق یونی شدند. این فرآیند تمیزکاری زیرالیهها جهت اندازهگیری شدند. طیف سنجی فرابنفش-مرئی UV-( )Vis در محدوده ) نانومتر( با یک دستگاه ارتقاء چسبندگی الیهها به زیرالیه بوده و باعث جلوگیری از نفوذ آلودگی به الیه )ITO( میباشد که از اسپکتروفوتومتر- UV-NIR(Perkin Lambda (45 Perkins-Elmer Lambda45 اهم یت زیادی برخوردارند. با کنترل آهنگ شارش گاز Elmer مدل شرکت واکنش پذیر )اکسیژن( توسط اندازهگیر شار فشار انجام شد. اندازهگیری تراگسیل بهمنظور الیهها نوری جزئی گاز اکسیژن )با درجه خلوص 33% 33( / در مقدار پایای / میلیبار تنظیم شد. پمپهای این دستگاه دیفیوژن و رتاری مدل F615 به نام Hind High Vacum ساخت کشور هندوستان در سال 0553 میباشند. فرآیند الیهنشانی با نرخ انباشت 5 / 3 نانومتر بر ثانیه و ثابت نگه داشتن دمای زیرالیه در 455 درجه سانتیگراد انجام شد. ضخامت الیه توسط پایشگر بلور کوارتز دستگاه کنترل میشد تا الیههایی با ضخامتهای و nm 005 حاصل شوند. مشخصهیابی الیههای نازک تهیه شده توسط یک دستگاه بازتاب سنج پرتو ایکس )از نوع- XPERT )PRO واقع در شرکت کارآفرینی و فناوری ایران )کفا( آشکار سازی شفافیت آنها انجام شد. يافتهها و بحث طیف 1 XRD اليههای نازک ITO در شکل 3 الیهها بسبلوری بوده و دارای قلههایی متناظر با صفحات )033( )000( )455( )445( و )600( میباشند. تمامی الیهها دارای یک جهتگیری ترجیحی )000( هستند. قلههای پراش مشاهده شده با قلههای پراش مرجع In 2O 3 )کارت شماره JCPDS که دارای شبکه مکعبی-مرکزدار bcc است( مطابقت خوبی دارند. و یک دستگاه پراش سنج پرتو-ایکس )از نوع D8 1 X-Ray Diffraction

4 14 Powder در محدوده / / نانومتر بهدست آمدند ]34 30[. همچنین هیچ قلهای ناشی از ناخالصی و فاز آالئیده شده در الیههای نازک ITO دیده نمیشود. با بررسی تغییر شدت قلهها نسبت به ضخامت الیهها در شکل 0 میتوان نتیجه گرفت با افزایش ضخامت الیهها شدت شکل 1. طیفXRD الیهنازک ITO با نرخ انباشت 5 / 53 و قلههای طیف.In2O3 قلهها افزایش یافته و پهنای آنها در نیمشدت کاهش مییابد که حاکی از کاملتر شدن ساختار بلوری الیهها است. در مواد بلوری این شدتها بهصورت قله تیز مشخص میشوند ولی در مواد آمورف پهن قلهها هستند ]30[. طیف 2 XRR اليههای نازک ITO فریزهای )فرانژ( کایزیک Fring) (Kiessig نتیجه تداخل سازنده و مخرب اشعه ایکس منعکس شده از دو فصل مشترک ناشی از تغییر فاز وابسته به زاویه میباشد و دوره تناوب آنها توسط ضخامت الیه تعیین میشود. فاصله بین فریزهای تداخلی )کایزیک( تابع ضخامت الیهها است که بهطور معکوس متناسب با ضخامت الیهها است ]36[. اولین نکته عدم وجود فریزهای تداخلی )کایزیک( در منحنی بازتاب الیهنازک 005 نانومتر است. علت آن قدرت تفکیک دستگاه بازتابسنج پرتو ایکس است که برای الیههایی با ضخامت بیشتر از 055 نانومتر فریزهای کایزیک را بهدست نمیدهد چنانچه برای الیه نازک با ضخامت 105 نانومتر نیز انجام شد که همان نتیجه یعنی عدم شکل 2. طیف XRD الیههای نازک ITO بانرخ انباشت ثابت 5 / 35 با ضخامت های اسمی و 005 نانومتر در دمای ثابت 455 درجه سانتیگراد زیرالیه. اندازه متوسط ذرهها به کمک فرمول دبی-شرر یعنی: D=0.9λ/Bcosθ 3 محاسبه میشود که در آن λ طول موج اشعه X)04 3 آنگستروم( / θ زاویه پراش و B پهنای پیک است. اندازه متوسط ذرات بهکمک نرم افزار X- 2 X-Ray Reflectivity

5 10 وجود فریزها را نشان داد. بنابراین روش بازتابسنجی بهدست آوردن ضخامت واقعی الیهها )ضخامت درگیر اشعه ایکس الیههای نازک برای ضخامت کمتر از 355 در آزمایش( استفاده شد. همچنین با استفاده از نانومتر مناسب میباشد و ترجیحا برای الیههای فوق نرمافزار مراحل شبیهسازی 1 و برازش 4 MATLAB نازک )ضخامت کمتر از 05 نانومتر( نتایج بسیار مناسبی دادههای ایکس اشعة بازتابی انجام شد. پس از ]37[. نقطة خواهد داشت را در پی مهم در شکل 1 شبیهسازی و برازش داده بازتابی منحنی بازتاب اشعة ITO با ضخامتهای 05 تطابق زاویه بحرانی الیهها است. که نشاندهنده کیفیت ایکس برای الیههای نازک یکسان در ساختار بلوری و شرایط الیهنشانی الیهها 355 و 375 نانومتر نیز انجام شد. ضخامتهای واقعی میباشد. بهعبارت دیگر الیهها دارای چگالی الکترونی نسبتا یکسان هستند. همچنین در نگاه اولیه به منحنیها بهدست آمده با توجه به فریزهای کایزیک برای الیههای نازک با ضخامتهای و 375 نانومتر بهدست تفاوت در فریزهای کایزیک برای هر نمونه مشهود آمدند )شکل 4 (. همچنین ناهمواری سطح و است. در واقع ضخامت الیه با اندازهگیری فاصله دو فصلمشترک الیهها با یکدیگر مقایسه شده است که.] [ قله متوالی در منحنی بهدست میآید که نسبت عکس با متفاوت از دیگری میباشند )جدول 3 ( مقدار آن را دارد. به عبارت دیگر الیة ضخیمتر دارای همانطور که در جدول 3 هم مشاهده میشود ضخامت 005 فریزهای کوچکتر و الیة نازکتر دارای فریزهای واقعی برای الیه نانومتر بهدست نیامد. مقادیر بزرگتر میباشد ]38-05[. عددی بهدست آمده با منحنیهای رسم شده توافق خوبی دارند. بهخصوص برای ناهمواری الیهها که نحوه افزایش آن در شکل 4 نشان داده شده است. شکل 3. مقایسه طیف XRR مختلف. الیههای نازک ITO با ضخامتهای در این پژوهش از نرمافزار GENX که بر اساس تقریب موج واپیچیده بورن عمل میکند برای تحلیل دادهها و شکل 4. منحنی شبیهسازی شده طیف XRR الیههای نازک ITO برای ضخامت های و 375 نانومتر که بهترتیب دارای ضخامت الیه,T2 T1 و T3 میباشند. 4 Fitting 3 Simulation

6 16 جدول 1.پارامترهای ساختاری بهدست آمده برای الیههای نازک.ITO ضخامت الیهها (nm) زاویه بحرانی )درجه( ضخامت واقعی )نانومتر( چگالی الکترونی )e/å 3 ( ناهمواری سطح (nm) 35 / 0 35 / 7 3 / 1 35 / 8 0 / 3 0 / 3 4 / 8 4 / / / / / تحلیل داده XRR اليههای نازکITO ضریب شکست ماده برای اشعه X با طول موج λ داده میشود: n = 1 δ + iβ 0 که در اینجا r e δ ρλ 2 r e 2π شعاع کالسیکی الکترون )طول پراکندگی تامسون( ρ چگالی الکترون λ β که μ طول جذب اشعه X است. مؤثر و 4πμ زاویه بحرانی θ c به چگالی مؤثر الکترونی ρ بستگی بررسی میشود که E g گاف انرژی hν انرژی فوتون ورودی و B یک عدد ثابت است که به احتمال گذردهی وابسته است. n نیز به نوع گذردهی بستگی دارد. برای گذار غیر مستقیم n=0 میباشد. میتوان مقدار گذار مستقیم و برای n=5 / 0 E g را از طریق برونیابی بخش خطی منحنی (αhν) n/1 برحسب hν تا محور انرژی محاسبه کرد ضخامتهای ]04[ مقادیر گاف انرژی الیهها 005 و 375 برای نانومتر بهترتیب 1 / 73 1 / 08 1 / 47 و 1 / 87 الکترون ولت بهدست آمدند. نتایج بهدست آمده از این طیف با توجه به شکل 0 این است که با افزایش ضخامت الیهها تراگسیل اپتیکی جذب و گاف انرژی الیههای نازک بهترتیب کاهش افزایش افزایش مییابد. نتیجه کاهش تراگسیل با نتایج پوکاپیست و همکارانش یکی است افزایش در کدری ناشی از تخلیه اکسیژن ناهمواری سطح است ]07[. ]00[. این علت ]06[ و دارد که با رابطه زیر داده میشود: θ c = 2δ = λ ρ r e π 1 برای محاسبه پارامترهای ساختاری الیهنازک مقدار شعاع کالسیکی الکترون Å) (r e = و طول موج اشعه ایکس( 1.54Å λ) = است ]03-01[. خواص اپتیکی اليههای نازک ITO 0 یعنی: خواص اپتیکی الیهها با رابطه داویس و موت αhν = B(hν E g ) n 4 5 Davis and Mott

7 17 انباشت ثابت )3 5 / نانومتر برثانیه( و دمای ثابت زیرالیه درجه )455 سانتیگراد( مقادیر گاف انرژی بهترتیب و الکترونولت 1 / 87 میباشند که 1 / 73 1 / 08 1 / 47 نشان دهندة افزایش گاف انرژی با افزایش ضخامت الیههای نازک است. همچنین اندازه متوسط بلورکها تراگسیل اپتیکی و جذب الیههای نازک با افزایش ضخامت الیهها بهترتیب افزایش کاهش و افزایش شکل 5. a: طیفهای تراگسیل الیههای نازک IT در ضخامتهای 2 متفاوت و b: منحنیهای (αhν) برحسب (ev) hν در دمای مییابد. مراجع 455 سانتیگراد زیرالیه برای ضخامتهای متفاوت. [1] G. Hass, M.H. Francombe, R.W. Hoffman, In Physics of Thin Films, Ch: J.L. Vossen, Academic Press, New York, (1997). آنالیز عنصری طیف شکل 6 آنالیز پراکندگی انرژی اشعه [2] S. Major, A. Banerjee, K.L. Chopra, Thickness-dependent properties of indiumdoped ZnO films, Thin Solid Films 122 (1984) 31. [3] R.B.H. Tahar, T. Ban, Y. Ohya. Y. Takahashi, Tin doped indium oxide thin films: Electrical properties, Journal of Applied Physics. 83 (1998) ایکس (EDS) الیه نازک 375 نانومتر را نشان میدهد که قلههای عنصری ایندیوم قلع و اکسیژن را تشکیل میدهد در صد ترکیبی In 2O 3 با SnO 2 با استفاده از آنالیز EDS مشخص شد. [4] J.H. Kim, B.D. Ahn, C.H. Lee, K.A. Jeon, H.S. Kang, G.H. Kim, S.Y. Lee, Enhancement in electrical and optical properties of indium tin oxide thin films grown using a pulsed laser deposition at room temperature by two-step process, Thin Solid Films 515 (2007) [5] T. Gerfin, M. Gratzel, Optical properties of tin doped indium oxide determined by spectroscopic ellipsometry, Journal of Applied Physics 79 (1996) [6] R.A. Synowicki, Spectroscopic ellipsometry characterization of indium tin oxide film microstructure and optical constants, Thin Solid Films (1998) [7] Y.S. Jung, Spectroscopic ellipsometry studies on the optical constants of indium tin oxide films شکل 6. طیف EDS مربوط به الیهنازک 375 نانومتر. نتیجهگیری در این تحقیق نتایج نشان میدهد که با تغییر ضخامت الیههای نازک از و 005 نانومتر در نرخ

8 {Article first published online: 14 MAR 2006 DOI: /andp Copyright 1931 WILEY-VCH Verlag GmbH& Co. KGaA, Weinheim}. [17] S. Banerjee, S. Ferrari, D. Chateigner, A. Gibaudd, Recent advances in characterization of ultra-thin films using specular X-ray reflectivity technique,thin Solid Films 450 (2004) [18] F. Jiménez: Basic Principles of X-ray Reflectivity in Thin Films, University of Northeastern, (2011). [19] M. Nayak, G.S. Lodha, R.V. Nandedkar, X- ray reflectivity investigation of interlayer at interfaces of multilayerstructures: application to Mo/Si multilayers, Bulletin of Materials Science29 (2006) [20] H. Raanaei, H. Lidbaum, A. Liebig, K. Leifer, B. Hjorvarsson, Structurl coherence and layer perfection in Fe/MgO multilayers, Journal of Physics Condensed Matter 20 (2008) [21] M. Tolan, X-Ray Scattering from Soft- Matter Thin Films, Springer Tracts in ModernPhysics, Springer Heidelberg (1999). [22] V. Hol y, U. Pietsch, and T. Baumbach, High-resolution x-ray scattering from thin films and multilayers, Springer Tracts in Modern Physics, Springer, Berlin (1999). [23] Gh. Solookinejad, A.S.H. Rozatian, M.H. Habibi, ZnO thin film characterization by X-ray reflectivity optimization using genetic algorithm and Fourier transformation, Applied Surface Science 258 (2011) [24] S. Varghese, M. Lype, E.J. Mathew, C.S. Menon, Determination of the energy band gap of thin films of cadmium sulphide, copper phthalocyanine and hybrid cadmium sulphide /copper phthalocyanine from its optical studies,materials Letters 56 (2002) [25] A. Pokaipist, M. Horprathum, P. Limsuwan, Effect of Films Thickness on the Properties of 18 deposited under various sputtering conditions, Thin Solid Films 467 (2004) [8] J. Lee, D. Lim,K. Yang, W.Choi, Influence of different plasma treatments on electrical and optical properties on sputtered AZO and ITO films, Journal of Crystal Growth 326 (2011) [9] C. Jonda, A.B.R. Mayer, U. Stolz, A. Elschner, A. Karbach, Surface roughness effects and their influence on the degradation of organic light emitting devices,journal of Materials Science 35 (2000) [10] K.N. Stoev, K. Sakurai, Review on grazing incidence X-ray spectrometry and reflectometry, Spectrochimica Acta Part B Atomic Spectroscopy 54 (1999) [11] S. Dietrich, A. Haase, Scattering of X-rays and neutrons at interfaces, Physics Reports 260 (1995) [12] I.K. Robinson, D.J. Tweet, Surface X-ray diffraction, Reports on Progress in Physics 55 (1992) 599. [13] H. Zabel, X-ray and neutron reflectivity analysis of thin films and superlattices, Applied Physics A 58(1994) [14] J.A. Nielsen, D.M. Morrow:Elements of modern x-ray physics, University College London, (2011). [15] N.A. Shah, A. Nazir and etc: Physical properties and characterization of Ag doped CdS thin films, journal of alloys compounds 512 (2012) [16] H. Kiessig, Untersuchungen zur Totalreflexion von Röntgenstrahlen, Annalen der Physik, (2006). به دلیل مشابهت های بسیار زیاد این مرجع جزئیات آن در زیر آورده شد.

9 [27] H.M. Ali, H.A. Mohamed, S.H. Mohamed, Enhancement of the optical and electrical properties of ITO thin films deposited by electron beam evaporation technique, The European Physical Journal Applied Physics 31 (2005) ITO Thin Films Prepared by Electron Beam Evaporation, Kasetsart Journal Natural Science 41 (2007) [26] C.H. Yang, S.C. Lee, T.C. Chen, Electrical and optical properties of indium tin oxide films prepared on plastic substrates by radio frequency magnetron sputtering, Thin solid films 516 (2008)